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NTMFS5830NLT1G |
8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） | ON Semiconductor | 閻絻鐦介敍锟�0755-83217923 询价QQ：  |
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NTMFS5830NLT1G参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL 包装数量：1500 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：40V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：28A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.3 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：113nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5880pF @ 25V 功率 - 最大值：3.2W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： Card EdgeEMM08DRSD-S273 Card EdgeESC36DRAI-S734 振荡器FXO-LC736R-240 背板 - DIN DIN-048SH-600-1 配件R88A-CAGB015BR-E IGBT - 单路HGTG11N120CN 嵌入式 - 微控制ATTINY15L-1PU 功率，高于 2 安G2R-24-AULDC24 嵌入式 - FPGM1A3P600-PQ208 Card EdgeGMC25DRTN-S13 |
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